Fujitsu sản xuất hàng loạt Nano-RAM: có thể làm RAM và SSD, tốc độ nhanh hơn DRAM 1000 lần

Fujistu đã trở thành công ty đầu tiên sản xuất số lượng lớn một loại bộ nhớ mới tên là Nano-RAM, viết tắt là NRAM. Công nghệ này được giới thiệu lần đầu hồi năm ngoái, nó nhanh hơn DRAM 1000 lần nhưng có thể lưu giữ liệu sau khi mất điện giống như chip NAND trong SSD. NRAM có một thành phần đặc biệt: các ống nano carbon. Mỗi bóng bán dẫn trong NRAM được cấu thành từ một mạng lưới ống nano đan xen vào nhau và nằm giữa hai điện cực kim loại. Những ống carbon nào chạm vào nhau sẽ có điện trở thấp và được gán giá trị là 1, trong khi những ống không tiếp xúc sẽ tạo ra trạng thái điện trở cao với giá trị 0. Tuy Fujitsu là công ty đầu tiên sản xuất hàng loạt nhưng NRAM lại được phát minh ra bởi công ty Nantero.

​

Fujitsu đang lên kế hoạch làm ra bộ nhớ DDR4 bằng chip Nano-RAM trong năm 2018 để dùng làm RAM lẫn SSD, sau đó bán cho các nhà bán lẻ để họ đưa thương hiệu của mình lên đó. Dây chuyền sản xuất ở đợt đầu này sẽ là 55nm, sau đó thu nhỏ xuống 40nm. Khách hàng ban đầu dùng loại RAM này sẽ là các data center và server vì chi phí chắc chắn sẽ đắt nhưng bù lại họ có thể tận dụng được tốc độ lên tới 2400Mbps của chuẩn DDR4. Sau một thời gian phát triển chi phí sẽ giảm xuống, lúc đó Fujitsu mới bắt đầu đưa sản phẩm ra thị trường tiêu dùng. Nếu dùng trong thiết bị di động, NRAM sẽ giúp tiết kiệm pin hơn vì nó không cần chạy các tác vụ dọn dẹp dữ liệu nền như RAM.

Fujitsu cho rằng NRAM sẽ tốt hơn công nghệ 3D Xpoint của Intel và Micron, vốn cũng được dùng để làm cả RAM lẫn SSD nhưng có tốc độ ghi chậm hơn đọc và sẽ hao mòn theo thời gian. Nantero cho biết thêm rằng có 7 nhà máy nằm rải rác khắp thế giới đã bắt đầu chạy thử việc sản xuất NRAM từ cuối năm ngoái. Một lợi thế nữa của NRAM đó là nó có thể chịu được nhiệt độ lên đến 300 độ C. Nếu hoạt động ở mức 300 độ, chip có thể tồn tại được 10 năm mà không bị mất đi một bit dữ liệu nào, Nantero cho hay.

Ngoài Intel 3D XPoint, một số đối thủ khác của NRAM còn có Ferroelectric RAM, RaceTrack (IBM), Phase change memory (IBM và Intel), MRAM, ReRAM (HP và SK Hynix)...