Intel ra mắt Chip nhớ mới có tốc độ nhanh hơn 1000 lần so với bộ nhớ flash hiện tại

Trong một bài phát biểu ngày hôm nay, Intel đã chính thức công bố công nghệ lưu trữ 3D Xpoint của bộ nhớ non-volatile, mà theo như tuyên bố của hãng là nhanh hơn 1000 lần so với kiến trúc NAND cơ bản hiện đang được sử dụng trên hầu hết các thẻ nhớ flash và ổ cứng SSD.

​

Kiến trúc mới hoàn toàn không cần dùng điện trở, dựa vào sự thay đổi thuộc tính vật liệu với số lượng lớn để chuyển đổi đơn vị thông tin (bits) từ trở kháng thấp đến trở kháng cao. Từ đó, các ngăn bộ nhớ (memory cells) được xếp lớp trong không gian hình bàn cờ ba chiều mà theo các nhà nghiên cứu của Intel là dày đặc hơn 10 lần so với bộ nhớ thông thường.

​

Phó chủ tịch Intel, Rob Crooke cho biết: "Trong nhiều thập kỷ, ngành công nghiệp đã tìm cách để giảm độ trễ giữa bộ xử lý và dữ liệu để cho phép phân tích nhanh hơn nhiều. Thế hệ mới của bộ nhớ non-volatile đạt được mục tiêu này và thay đổi cuộc chơi hiệu suất bộ nhớ và các giải pháp lưu trữ ".​

Công nghệ 3D XPoint sẽ có mẫu theo lựa chọn khách hàng vào cuối năm nay, đồng thời Intel và Micron hiện đang phát triển các sản phẩm cá nhân dựa trên công nghệ này.

Nguồn : Theverge, Intel​